삼성전자, ‘토털 솔루션’으로 엔비디아와 협력 확대 GTC서 HBM4E 최초 공개…전략적 파트너십 강화 장승기 기자 sky@gwangnam.co.kr

2026년 03월 17일(화) 08:55

삼성전자 HBM4 제품 사진.

삼성전자가 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에서 7세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4E’를 공개하고 엔비디아 차세대 인공지능(AI) 가속기 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’을 지원하는 메모리 솔루션을 선보인다.

엔비디아가 데이터센터를 ‘AI 팩토리(AI Factory)’로 전환하는 전략을 추진하면서 차세대 AI 플랫폼인 베라 루빈의 중요성이 커지는 가운데, 삼성전자는 메모리와 스토리지를 공급하며 AI 인프라 협력을 강화한다.

삼성전자가 오는 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에서 7세대 고대역폭메모리 HBM4E를 최초로 선보인다.

메모리·로직 설계·파운드리(반도체 위탁생산)·첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)의 면모를 앞세워 엔비디아와의 전략적 파트너십을 한층 강화한다.

삼성전자는 전시 공간을 AI 팩토리, 온디바이스 AI, 피지컬 AI 세 개의 존으로 구성해 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개한다.

행사 둘째 날인 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다.

삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 히어로 월’을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다.

삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

또 삼성전자는 영상을 통해 TCB(열 압착 본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 본딩) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.

삼성전자는 ‘엔비디아 갤러리’를 별도로 구성해 루빈 그래픽처리장치(GPU)용 HBM4, 베라 중앙처리장치(CPU)용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763을 전시하며 양사의 협력을 강조했다.

삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.

삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다.

또 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다.

삼성전자는 “AI 팩토리 혁신을 위해 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI 시스템이 필수적인 만큼 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정”이라며 “양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것”이라고 강조했다.